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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| 频率-转变 | 200MHz |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 22kOhms |
| 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 47kOhms |
| 供应商设备包 | ES6 |
| 年级 | Automotive |
| 资质 | AEC-Q101 |
