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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| 供应商设备包 | S-Mini |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 800 mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50 V |
| 功率 - 最大 | 200 mW |
| 频率-转变 | 200 MHz |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 10 kOhms |
